Charakteristiky proudu laserem produkovaných Ge iontů užívaných pro modifikaci polovodičových materiálů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00032108" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00032108 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials

Popis výsledku v původním jazyce

The modification of semiconductors materials as Si and SiO2 by laser-generated Ge ion streams is described. Ge ions were produced by different lasers, and various ion diagnostics were used to optimize the process

Název v anglickém jazyce

Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials

Popis výsledku anglicky

The modification of semiconductors materials as Si and SiO2 by laser-generated Ge ion streams is described. Ge ions were produced by different lasers, and various ion diagnostics were used to optimize the process

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radiation Effects and Defects in Solids

ISSN

1042-0150

e-ISSN

—

Svazek periodika

160

Číslo periodika v rámci svazku

10-12

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

477-482

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—