Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00043491" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00043491 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures

Popis výsledku v původním jazyce

Heterostructures SiC/AlGaN/GaN were investigated by the DLTS Metod in order to correlate activation energie of deep levels with AlGaN layer composition and 4H-SiC substráte orientation.

Název v anglickém jazyce

Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures

Popis výsledku anglicky

Heterostructures SiC/AlGaN/GaN were investigated by the DLTS Metod in order to correlate activation energie of deep levels with AlGaN layer composition and 4H-SiC substráte orientation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA1010404" target="_blank" >IAA1010404: Vliv vnějších polí na nízkorozměrné elektronové struktury</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM´06

ISBN

1-4244-0396-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

51-54

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Danvers, MA

Místo konání akce

Smolenice Castle

Datum konání akce

16. 10. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—