Výrazná teplotní závislost účinnosti rentgenového fotoleptání polytetraflorethylenu 10-Hz-ovým laserovým plazmovým zdrojem využívajícím pulzní plynové trysky

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00045321" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00045321 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Strong temperature effect on X-ray photo-etching of polytetrafluoroethylene using a 10Hz laser-plasma radiation source based on a gas puff target
Popis výsledku v původním jazyce
The first results of experiments on direct photo-etching of heated PTFE using a 10 Hz X-ray source based on a laser-irradiated gas puff targed are presented. Strong enhancement of the photo-etching process was observed for samples heated up to 300°C
Název v anglickém jazyce
Strong temperature effect on X-ray photo-etching of polytetrafluoroethylene using a 10Hz laser-plasma radiation source based on a gas puff target
Popis výsledku anglicky
The first results of experiments on direct photo-etching of heated PTFE using a 10 Hz X-ray source based on a laser-irradiated gas puff targed are presented. Strong enhancement of the photo-etching process was observed for samples heated up to 300°C

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/LC510" target="_blank" >LC510: Centrum nanotechnologií a materiálů pro nanoelektroniku</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)