Růst objemových krystalů indium fosfidu pro detektory záření
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00308797" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00308797 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors
Popis výsledku v původním jazyce
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method using vertical Bridgman low pressure synthesis of polycrystalline InP. The semi-insulating state necessary for radiation detection was created by iron doping or Fe-Zn and Ti-Zn co-doping. High temperature annealing was also done. Defects were studied by X-ray methods. For characterization the Hall measurements and mass spectroscopy were used. The detection efficiency of prepared detection structures was measured.
Název v anglickém jazyce
Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors
Popis výsledku anglicky
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method using vertical Bridgman low pressure synthesis of polycrystalline InP. The semi-insulating state necessary for radiation detection was created by iron doping or Fe-Zn and Ti-Zn co-doping. High temperature annealing was also done. Defects were studied by X-ray methods. For characterization the Hall measurements and mass spectroscopy were used. The detection efficiency of prepared detection structures was measured.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference
ISBN
978-1-4244-2259-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Institute of Electrical and Electronic Engineers
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Versailles
Datum konání akce
25. 5. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—