Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

X-ray topographic investigation of the deformation field around spots irradiated by FLASH single pulses

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00372183" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00372183 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2011.02.034" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2011.02.034</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2011.02.034" target="_blank" >10.1016/j.radphyschem.2011.02.034</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    X-ray topographic investigation of the deformation field around spots irradiated by FLASH single pulses

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An important problem in the experiments performed with the intense fourth generation X-ray sources is the damages of the examined samples caused by the high energy impact. The effect introduced by the beam from the FLASH source in crystalline silicon samples was studied through synchrotron white beam projection and section topography, enabling the evaluation of the strain field associated with the damages. The topographs indicated the existence of deformed field of cylindrical symmetry providing the dark contrast. It was also shown that some of the Bragg-case section images of spots in silicon correspond well to the simulated images of rod-like inclusions.

  • Název v anglickém jazyce

    X-ray topographic investigation of the deformation field around spots irradiated by FLASH single pulses

  • Popis výsledku anglicky

    An important problem in the experiments performed with the intense fourth generation X-ray sources is the damages of the examined samples caused by the high energy impact. The effect introduced by the beam from the FLASH source in crystalline silicon samples was studied through synchrotron white beam projection and section topography, enabling the evaluation of the strain field associated with the damages. The topographs indicated the existence of deformed field of cylindrical symmetry providing the dark contrast. It was also shown that some of the Bragg-case section images of spots in silicon correspond well to the simulated images of rod-like inclusions.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Radiation Physics and Chemistry

  • ISSN

    0969-806X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    80

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1036-1040

  • Kód UT WoS článku

    000293424000008

  • EID výsledku v databázi Scopus