Renewal of three-dimensional nanocrystalline diamond bio-transistor by low temperature hydrogenation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00388761" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00388761 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/12:00200579

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Renewal of three-dimensional nanocrystalline diamond bio-transistor by low temperature hydrogenation

Popis výsledku v původním jazyce

We employ directly grown microscopic (20um and 5um) solution-gated field-effect transistors (SGFET) as a biosensor with H-terminated surface acting as a gate insulator towards solution and generator of surface conductivity at the same time.

Název v anglickém jazyce

Renewal of three-dimensional nanocrystalline diamond bio-transistor by low temperature hydrogenation

Popis výsledku anglicky

We employ directly grown microscopic (20um and 5um) solution-gated field-effect transistors (SGFET) as a biosensor with H-terminated surface acting as a gate insulator towards solution and generator of surface conductivity at the same time.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

XII. Pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků - sborník příspěvků

ISBN

978-80-7375-618-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

110-112

Název nakladatele

Mendelova univerzita v Brně

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

30. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—