Comparative study on dry etching of polycrystalline diamond thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00389069" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00389069 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/12:00200427

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.023" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.023</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.023" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2011.07.023</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Comparative study on dry etching of polycrystalline diamond thin films

Popis výsledku v původním jazyce

The reactive ion etching technique was used to etch diamond films. In this study we investigate the influence of process parameters (pressure, rf power, gas composition). The surface morphology of etched diamond films was characterized by SEM and the chemical composition of the etched film part was investigated by Raman Spectroscopy. We found that the gas composition had a crucial effect on the diamond film morphology. The use of CF4 gas resulted in flatter surfaces and lateral-like etching, while the use of pure O2 gas resulted in needle-like structures. Addition of argon to the reactant precursors increased the ion bombardment, which in turn increased the formation of non-diamond phases. Next, increasing the rf power from 100 to 500 W increased the etching rate from 5.4 to 8.6 ?m/h. In contrast to this observation, the rise of process pressure from 80 to 150 mTorr lowered the etching rate from 5.6 down to 3.6 ?m/h.

Název v anglickém jazyce

Comparative study on dry etching of polycrystalline diamond thin films

Popis výsledku anglicky

The reactive ion etching technique was used to etch diamond films. In this study we investigate the influence of process parameters (pressure, rf power, gas composition). The surface morphology of etched diamond films was characterized by SEM and the chemical composition of the etched film part was investigated by Raman Spectroscopy. We found that the gas composition had a crucial effect on the diamond film morphology. The use of CF4 gas resulted in flatter surfaces and lateral-like etching, while the use of pure O2 gas resulted in needle-like structures. Addition of argon to the reactant precursors increased the ion bombardment, which in turn increased the formation of non-diamond phases. Next, increasing the rf power from 100 to 500 W increased the etching rate from 5.4 to 8.6 ?m/h. In contrast to this observation, the rise of process pressure from 80 to 150 mTorr lowered the etching rate from 5.6 down to 3.6 ?m/h.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

86

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

799-802

Kód UT WoS článku

000301018400053

EID výsledku v databázi Scopus

—