Composition profiling of piezoelectric PZT thin films deposited onto Cu coated polymer substrates
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00391185" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00391185 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Composition profiling of piezoelectric PZT thin films deposited onto Cu coated polymer substrates
Popis výsledku v původním jazyce
In this work, we investigate the composition profile of nanocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films deposited by means of reactive magnetron sputtering from 200 mm diameter metallic targets (Pb, Ti, Zr). High-power pulse sputtering has been employed foralternatively the Zr- or Ti-target. Composition analysis and profiling was performed by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Rutherford backscattering (RBS). RBS data was recalibrated to exclude hydrogen content not determined by XPS. Advantages and drawbacks of both methods for PZT composition profiling are discussed.
Název v anglickém jazyce
Composition profiling of piezoelectric PZT thin films deposited onto Cu coated polymer substrates
Popis výsledku anglicky
In this work, we investigate the composition profile of nanocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films deposited by means of reactive magnetron sputtering from 200 mm diameter metallic targets (Pb, Ti, Zr). High-power pulse sputtering has been employed foralternatively the Zr- or Ti-target. Composition analysis and profiling was performed by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Rutherford backscattering (RBS). RBS data was recalibrated to exclude hydrogen content not determined by XPS. Advantages and drawbacks of both methods for PZT composition profiling are discussed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2012 International Symposium on Applications of Ferroelectrics held jointly with 11th IEEE ECAPD and IEEE PFM (ISAF/ECAPD/PFM)
ISBN
978-1-4673-2669-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
1-3
Název nakladatele
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Aveiro
Datum konání akce
9. 7. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000313016400058