Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00396817" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00396817 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/12:00396817
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2012.6418524" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2012.6418524</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2012.6418524" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2012.6418524</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth
Popis výsledku v původním jazyce
We report on the electrochemical preparation of GaAs porous substrates, their heat treatment in As rich environment and their overgrowth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The goal is to demonstrate that porous substrates are capable of accommodating strain at the interface with highly lattice mismatched In(x)Ga(1-x) As layers
Název v anglickém jazyce
Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth
Popis výsledku anglicky
We report on the electrochemical preparation of GaAs porous substrates, their heat treatment in As rich environment and their overgrowth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The goal is to demonstrate that porous substrates are capable of accommodating strain at the interface with highly lattice mismatched In(x)Ga(1-x) As layers
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM 2012 - Conference Proceedings: The 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-4673-1197-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
235-238
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Smolenice Castle
Datum konání akce
11. 11. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000316566500056