Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00437411" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00437411 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/13:00437411
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/05808.0053ecst" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1149/05808.0053ecst</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/05808.0053ecst" target="_blank" >10.1149/05808.0053ecst</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates
Popis výsledku v původním jazyce
We report on the electrochemical preparation of GaAs porous substrates, their heat treatment in As rich environment and their overgrowth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The goal is to demonstrate that porous substrates are capable of accommodating strain at the interface with lattice mismatched In(x)Ga(1-x)As layers
Název v anglickém jazyce
Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates
Popis výsledku anglicky
We report on the electrochemical preparation of GaAs porous substrates, their heat treatment in As rich environment and their overgrowth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The goal is to demonstrate that porous substrates are capable of accommodating strain at the interface with lattice mismatched In(x)Ga(1-x)As layers

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)