GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00429421" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00429421 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách

Popis výsledku v původním jazyce

Polovodičová epitaxní struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami a GaAsSb krycí a pnutí redukující vrstvou zachovávající heteropřechod I. typu mezi InAs kvantovou tečkou a GaAsSb vrstvou a emitující elektromagnetické záření na telekomunikační vlnové délce1300 nm. Zachování heteropřechodu I. typu pro tyto vlnové délky je dosaženo gradovaným složením GaAsSb vrstvy tak, aby ve GaAsSb vrstvě byla nižší koncentrace Sb (kolem 9%) bezprostředně u kvantových teček, (čímž je zabezpečena dostatečná bariéra pro díry v InAs kvantových tečkách a jejich lokalizace v kvantových tečkách), ve směru epitaxního růstu koncentrace antimonu v GaAsSb vzrůstá i nad 20% (Tím je dosaženo potřebné snížení pnutí uvnitř kvantových teček a prodloužení emitované vlnové délky). Strukturu lze realizovat se spojitou změnou koncentrace antimonu nebo stupňovitě pomocí dvou a více vrstev.

Název v anglickém jazyce

Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots

Popis výsledku anglicky

The quantum dot layer is covered by gallium arsenide antimonite strain reducing layer that are utilized for maintaining type I heterojunction between indium arsenide quantum dot and Gallium arsenide antimonite layer and enabling emission of electroluminescences on a telecommunication wavelength of 1300 nm. Maintaining the type I heterojunction is achieved by graded Sb concentration in the layer with the lower Sb concentration next to the InAs quantum dot layer (approx x=0.09), forming so a sufficient barrier for holes localized in the indium arsenide quantum dots. The antimony concentration of the Gallium arsenide antimonite layer is increasing in the epitaxial growth direction to maximum (maximum up to x=0.25) which assure sufficient strain reducing effect and emission wavelength elongation. The antimony concentration can be changed continuously or step like by two or more layers.

Druh

P - Patent

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

303855

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

17. 4. 2013

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence