Mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond films by reactive ion plasma etching

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432632" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432632 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1573" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1573</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1573" target="_blank" >10.1166/asem.2014.1573</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond films by reactive ion plasma etching

Popis výsledku v původním jazyce

In this technologically oriented study, the mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond thin films is presented. The structuring of diamond films was performed by the reactive ion plasma etching in capacitively coupled radiofrequency plasma using different plasma chemistries (i.e. gas mixtures: O2, CF4, SF6 and Ar). We found that employing only oxygen plasma results in the formation of diamond nanowhiskers. Adding a small amount of CF4 makes the surface flatter. Argon containinggas mixture leads to smooth diamond surface without any whiskers. The etching mechanism is discussed with respect to the primary diamond morphology (micro- vs. nano-crystalline) and the used gas mixture.

Název v anglickém jazyce

Mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond films by reactive ion plasma etching

Popis výsledku anglicky

In this technologically oriented study, the mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond thin films is presented. The structuring of diamond films was performed by the reactive ion plasma etching in capacitively coupled radiofrequency plasma using different plasma chemistries (i.e. gas mixtures: O2, CF4, SF6 and Ar). We found that employing only oxygen plasma results in the formation of diamond nanowhiskers. Adding a small amount of CF4 makes the surface flatter. Argon containinggas mixture leads to smooth diamond surface without any whiskers. The etching mechanism is discussed with respect to the primary diamond morphology (micro- vs. nano-crystalline) and the used gas mixture.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advanced Science, Engineering and Medicine

ISSN

2164-6627

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

780-784

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—