Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Growth rate enhancement and morphology engineering of diamond films by adding CO2 or N2 in hydrogen rich gas chemistry

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432636" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432636 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1571" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1571</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2014.1571" target="_blank" >10.1166/asem.2014.1571</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Growth rate enhancement and morphology engineering of diamond films by adding CO2 or N2 in hydrogen rich gas chemistry

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Diamond films and structures were grown by MWCVD. We show that increasing of CH4 concentration in the gas mixture up to 8% results almost in a linear increasing of growth rate (up to 900 nm/h). Unfortunately, diamond film quality decreases due to the dominance of sp2 carbon phases, as confirmed by Raman measurements. Furthermore, increasing of CH4 concentration also enhances spontaneous nucleation. Addition of N2 and CO2 into CH4/H2 gas mixture also enhances the growth rate. Nitrogen shifts the film morphology from micro- to nanocrystalline. For enough high methane concentration (>5% CH4), increasing of nitrogen further shifts the diamond growth in formation of nanowire like structures. In opposite to the nitrogen addition, adding CO2 to the gas mixture improved the film quality. In this case, a higher methane concentration can be used to increase the growth rate while keeping good enough film quality.

  • Název v anglickém jazyce

    Growth rate enhancement and morphology engineering of diamond films by adding CO2 or N2 in hydrogen rich gas chemistry

  • Popis výsledku anglicky

    Diamond films and structures were grown by MWCVD. We show that increasing of CH4 concentration in the gas mixture up to 8% results almost in a linear increasing of growth rate (up to 900 nm/h). Unfortunately, diamond film quality decreases due to the dominance of sp2 carbon phases, as confirmed by Raman measurements. Furthermore, increasing of CH4 concentration also enhances spontaneous nucleation. Addition of N2 and CO2 into CH4/H2 gas mixture also enhances the growth rate. Nitrogen shifts the film morphology from micro- to nanocrystalline. For enough high methane concentration (>5% CH4), increasing of nitrogen further shifts the diamond growth in formation of nanowire like structures. In opposite to the nitrogen addition, adding CO2 to the gas mixture improved the film quality. In this case, a higher methane concentration can be used to increase the growth rate while keeping good enough film quality.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Advanced Science, Engineering and Medicine

  • ISSN

    2164-6627

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

    7

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    749-755

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus