N-VSi-related center in non-irradiated 6H SiC nanostructure

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00433268" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00433268 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4865645" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4865645</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4865645" target="_blank" >10.1063/1.4865645</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

N-VSi-related center in non-irradiated 6H SiC nanostructure

Popis výsledku v původním jazyce

We present the first findings of the vacancy-related centers identified by the electron spin resonance (ESR) and electrically-detected (ED) ESR method in the non-irradiated 6H-SiC nanostructure. This planar 6H-SiC nanostructure represents the ultra-narrow p-type quantum well confined by the ?-barriers heavily doped with boron on the surface of the n-type 6H-SiC (0001) wafer. The EDESR method by measuring the only magnetoresistance of the 6H SiC nanostructure under the high frequency generation from the?-barriers appears to allow the identification of the silicon vacancy centers as well as the triplet center with spin state S=1. The same triplet center that is characterized by the larger value of the zero-field splitting constant D and anisotropic g-factor is revealed by the ESR (X-band) method. The hyperfine (hf) lines in the ESR and EDESR spectra originating from the hf interaction with the 14N nucleus allow us to attribute.

Název v anglickém jazyce

N-VSi-related center in non-irradiated 6H SiC nanostructure

Popis výsledku anglicky

We present the first findings of the vacancy-related centers identified by the electron spin resonance (ESR) and electrically-detected (ED) ESR method in the non-irradiated 6H-SiC nanostructure. This planar 6H-SiC nanostructure represents the ultra-narrow p-type quantum well confined by the ?-barriers heavily doped with boron on the surface of the n-type 6H-SiC (0001) wafer. The EDESR method by measuring the only magnetoresistance of the 6H SiC nanostructure under the high frequency generation from the?-barriers appears to allow the identification of the silicon vacancy centers as well as the triplet center with spin state S=1. The same triplet center that is characterized by the larger value of the zero-field splitting constant D and anisotropic g-factor is revealed by the ESR (X-band) method. The hyperfine (hf) lines in the ESR and EDESR spectra originating from the hf interaction with the 14N nucleus allow us to attribute.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LM2011029" target="_blank" >LM2011029: SAFMAT - Středisko Analýzy Funkčních MATeriálů</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

International Conference On Defects In Semiconductors 2013

ISBN

978-0-7354-1215-6

ISSN

0094-243X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

243-247

Název nakladatele

AIP

Místo vydání

Melville

Místo konání akce

Bologna

Datum konání akce

21. 7. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000342321600053