Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00448576" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00448576 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615050036" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615050036</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615050036" target="_blank" >10.1134/S1063782615050036</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur

Popis výsledku v původním jazyce

We present the first findings of the silicon vacancy related centers identified in the non-irradiated 6H-SiC nanostructure using the electron spin resonance (ESR) and electrically-detected (ED) ESR technique. This planar 6H-SiC nanostructure represents the ultra-narrow p-type quantum well confined by the ?-barriers heavily doped with boron on the surface of the n-type 6H-SiC(0001) wafer. The new EDESR technique by measuring the only magnetoresistance of the 6H-SiC nanostructure under the high frequencygen- eration from the ?-barriers appears to allow the identification of the isolated silicon vacancy centers as well as the triplet center with spin state S = 1. The same triplet center that is characterized by the large value of the zero-field splittingconstant D and anisotropic g-factor is revealed by the ESR (X-band) method.

Název v anglickém jazyce

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur

Popis výsledku anglicky

We present the first findings of the silicon vacancy related centers identified in the non-irradiated 6H-SiC nanostructure using the electron spin resonance (ESR) and electrically-detected (ED) ESR technique. This planar 6H-SiC nanostructure represents the ultra-narrow p-type quantum well confined by the ?-barriers heavily doped with boron on the surface of the n-type 6H-SiC(0001) wafer. The new EDESR technique by measuring the only magnetoresistance of the 6H-SiC nanostructure under the high frequencygen- eration from the ?-barriers appears to allow the identification of the isolated silicon vacancy centers as well as the triplet center with spin state S = 1. The same triplet center that is characterized by the large value of the zero-field splittingconstant D and anisotropic g-factor is revealed by the ESR (X-band) method.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductors

ISSN

1063-7826

e-ISSN

—

Svazek periodika

49

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

RU - Ruská federace

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

649-657

Kód UT WoS článku

000354103400018

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84928898748