Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of surface wave plasma deposition conditions on diamond growth regime

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00448962" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00448962 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/15:00242982

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.01.012" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.01.012</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.01.012" target="_blank" >10.1016/j.surfcoat.2015.01.012</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of surface wave plasma deposition conditions on diamond growth regime

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The influence of deposition conditions on the diamond thin film growth in linear antenna microwave plasma system, also known as surface wave plasma reactor, is presented in this study. Depending on the process pressure the two growth regimes were identified. At high pressures (over 50 Pa) dominates the re-nucleation regime that results in ultra-small diamond crystals, while at low pressures (below 10 Pa) dominates the lateral growth regime that leads to formation of large diamond crystals. Next, it wasshown that the distance of substrates from ?hot plasma region influences the diamond growth kinetics and results in growth regimes shift. Altogether, the observed results contribute to a better understanding of the diamond growth phenomena in surface wave plasma systems. Thus, it allows controllable growth of diamond films with tailored properties (morphology, roughness, etc).

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of surface wave plasma deposition conditions on diamond growth regime

  • Popis výsledku anglicky

    The influence of deposition conditions on the diamond thin film growth in linear antenna microwave plasma system, also known as surface wave plasma reactor, is presented in this study. Depending on the process pressure the two growth regimes were identified. At high pressures (over 50 Pa) dominates the re-nucleation regime that results in ultra-small diamond crystals, while at low pressures (below 10 Pa) dominates the lateral growth regime that leads to formation of large diamond crystals. Next, it wasshown that the distance of substrates from ?hot plasma region influences the diamond growth kinetics and results in growth regimes shift. Altogether, the observed results contribute to a better understanding of the diamond growth phenomena in surface wave plasma systems. Thus, it allows controllable growth of diamond films with tailored properties (morphology, roughness, etc).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA14-05053S" target="_blank" >GA14-05053S: Příprava a vlastnosti nanokrystalického diamantu pro fotonické aplikace</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Coatings Technology

  • ISSN

    0257-8972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    271

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Jun

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    74-79

  • Kód UT WoS článku

    000355349800013

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84928547660