Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Osteoblastic cells trigger gate currents on nanocrystalline diamond transistor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00449037" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00449037 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2015.03.035" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2015.03.035</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2015.03.035" target="_blank" >10.1016/j.colsurfb.2015.03.035</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Osteoblastic cells trigger gate currents on nanocrystalline diamond transistor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We show the influence of osteoblastic SAOS-2 cells on the transfer characteristics of nanocrystalline diamond solution-gated field-effect transistors (SGFET) prepared on glass substrates. Channels of these fully transparent SGFETs are realized by hydrogen termination of undoped diamond film. After cell cultivation, the transistors exhibit about 100x increased leakage currents (up to 10 nA). During and after the cell delamination, the transistors return to original gate currents. We propose a mechanism where this triggering effect is attributed to ions released from adhered cells, which depends on the cell adhesion morphology, and could be used for cell culture monitoring.

  • Název v anglickém jazyce

    Osteoblastic cells trigger gate currents on nanocrystalline diamond transistor

  • Popis výsledku anglicky

    We show the influence of osteoblastic SAOS-2 cells on the transfer characteristics of nanocrystalline diamond solution-gated field-effect transistors (SGFET) prepared on glass substrates. Channels of these fully transparent SGFETs are realized by hydrogen termination of undoped diamond film. After cell cultivation, the transistors exhibit about 100x increased leakage currents (up to 10 nA). During and after the cell delamination, the transistors return to original gate currents. We propose a mechanism where this triggering effect is attributed to ions released from adhered cells, which depends on the cell adhesion morphology, and could be used for cell culture monitoring.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP108%2F12%2F0996" target="_blank" >GAP108/12/0996: Bio-inspirované skelety jako aktivní senzorové systémy</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Colloids and Surfaces B-Biointerfaces

  • ISSN

    0927-7765

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    129

  • Číslo periodika v rámci svazku

    May

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    95-99

  • Kód UT WoS článku

    000355356200013

  • EID výsledku v databázi Scopus