Influence of gas chemistry on Si-V color centers in diamond films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00454703" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00454703 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552222" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552222</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552222" target="_blank" >10.1002/pssb.201552222</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of gas chemistry on Si-V color centers in diamond films

Popis výsledku v původním jazyce

We studied the influence of process parameters on the incorporation and optical activity of the silicon vacancy (Si-V) zero phonon line (ZPL) in diamond films. The ZPL intensity at 738nm is studied in nano- and micro-crystalline diamond films deposited by MWCVD as a function of a substrate temperature, gas composition, i.e. CO2 and N2 concentrations in the gas mixture. We found that the ZPL intensity of Si-V center is independent in a broad deposition temperature range from 450°C to 1100°C with a full width of half maxima (FWHM) of 6 nm. For the lowest deposition temperature (350°C), the ZPL intensity decreases and the FWHM doubles. The Si-V center ZPL vanished for admixtures of 1% CO2 or 2.5% of N2 and higher in the gas mixture. For smaller concentrations, the ZPL intensity gradually decreased while keeping the ZPL peak position and FWHM constant. The influence of CO2 and N2 addition on the diamond morphology is also discussed with respect to the presence of Si-V centers.

Název v anglickém jazyce

Influence of gas chemistry on Si-V color centers in diamond films

Popis výsledku anglicky

We studied the influence of process parameters on the incorporation and optical activity of the silicon vacancy (Si-V) zero phonon line (ZPL) in diamond films. The ZPL intensity at 738nm is studied in nano- and micro-crystalline diamond films deposited by MWCVD as a function of a substrate temperature, gas composition, i.e. CO2 and N2 concentrations in the gas mixture. We found that the ZPL intensity of Si-V center is independent in a broad deposition temperature range from 450°C to 1100°C with a full width of half maxima (FWHM) of 6 nm. For the lowest deposition temperature (350°C), the ZPL intensity decreases and the FWHM doubles. The Si-V center ZPL vanished for admixtures of 1% CO2 or 2.5% of N2 and higher in the gas mixture. For smaller concentrations, the ZPL intensity gradually decreased while keeping the ZPL peak position and FWHM constant. The influence of CO2 and N2 addition on the diamond morphology is also discussed with respect to the presence of Si-V centers.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA14-04790S" target="_blank" >GA14-04790S: Vytváření objemu a povrchu diamantových nano-objektů pro biomedicínu</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

ISSN

0370-1972

e-ISSN

—

Svazek periodika

252

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

2580-2584

Kód UT WoS článku

000364690400038

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84946423209