Low-temperature high-mobility amorphous IZO for silicon heterojunction solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456454" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456454 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/15:00233320

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2450993" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2450993</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2450993" target="_blank" >10.1109/JPHOTOV.2015.2450993</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Low-temperature high-mobility amorphous IZO for silicon heterojunction solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

Parasitic absorption in the transparent conductive oxide (TCO) front electrode is one of the limitations of silicon heterojunction (SHJ) solar cells efficiency. To avoid such absorption while retaining high conductivity, TCOs with high electron mobilityare preferred over those with high carrier density. Here, we demonstrate improved SHJ solar cell efficiencies by applying high-mobility amorphous indium zinc oxide (a-IZO) as the front TCO. We sputtered a-IZO at low substrate temperature and low power density and investigated the optical and electrical properties, as well as subband tail formation-quantified by the Urbach energy - as a function of the sputtering oxygen partial pressure.

Název v anglickém jazyce

Low-temperature high-mobility amorphous IZO for silicon heterojunction solar cells

Popis výsledku anglicky

Parasitic absorption in the transparent conductive oxide (TCO) front electrode is one of the limitations of silicon heterojunction (SHJ) solar cells efficiency. To avoid such absorption while retaining high conductivity, TCOs with high electron mobilityare preferred over those with high carrier density. Here, we demonstrate improved SHJ solar cell efficiencies by applying high-mobility amorphous indium zinc oxide (a-IZO) as the front TCO. We sputtered a-IZO at low substrate temperature and low power density and investigated the optical and electrical properties, as well as subband tail formation-quantified by the Urbach energy - as a function of the sputtering oxygen partial pressure.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA14-05053S" target="_blank" >GA14-05053S: Příprava a vlastnosti nanokrystalického diamantu pro fotonické aplikace</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Journal of Photovoltaics

ISSN

2156-3381

e-ISSN

—

Svazek periodika

5

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

1340-1347

Kód UT WoS článku

000360436800011

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84940047955