Effect of bulk potential engineering on the transport properties of SiC MOSFETs: characterization and interpretation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00464783" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00464783 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.737" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.737</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.737" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.737</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of bulk potential engineering on the transport properties of SiC MOSFETs: characterization and interpretation
Popis výsledku v původním jazyce
The effect of bulk potential engineering on the transport properties in the channel of SiC MOSFETs has been studied. For this purpose, n-channel SiC MOSFETs have been manufactured with different background doping concentrations and characterized electrically at room temperature by current-voltage as well as by Hall-effect measurements. To interpret the measurements performed, numerical simulations have been carried out using Sentaurus Device of Synopsys. The main finding of the simulation analysis is that the change in the depth of the band-bending has to be considered to explain the doping dependence of SiC MOSFET characteristics.
Název v anglickém jazyce
Effect of bulk potential engineering on the transport properties of SiC MOSFETs: characterization and interpretation
Popis výsledku anglicky
The effect of bulk potential engineering on the transport properties in the channel of SiC MOSFETs has been studied. For this purpose, n-channel SiC MOSFETs have been manufactured with different background doping concentrations and characterized electrically at room temperature by current-voltage as well as by Hall-effect measurements. To interpret the measurements performed, numerical simulations have been carried out using Sentaurus Device of Synopsys. The main finding of the simulation analysis is that the change in the depth of the band-bending has to be considered to explain the doping dependence of SiC MOSFET characteristics.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Materials Science Forum. Vols 821-823. Silicon Carbide and Related Materials 2014
ISBN
978-303835478-9
ISSN
0255-5476
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
737-740
Název nakladatele
Trans Tech Publications Inc.
Místo vydání
Pfaffikon
Místo konání akce
Grenoble
Datum konání akce
21. 9. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—