On the way to enhance the optical absorption of a-Si in NIR by embedding Mg2Si thin film

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00462576" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00462576 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985858:_____/16:00462576

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4960011" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4960011</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4960011" target="_blank" >10.1063/1.4960011</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On the way to enhance the optical absorption of a-Si in NIR by embedding Mg2Si thin film

Popis výsledku v původním jazyce

Mg2Si thin film was embedded in amorphous silicon matrix by solid phase epitaxy. The structure and optical properties were investigated by electron energy loss, X-ray photoelectron, Raman, and photo thermal deflection spectroscopy measurements. It was found that in the photon energy range of 0.8–1.7 eV, the light absorption of the structure with magnesium silicide (Mg 2Si) film embedded in a-Si(i) matrix is 1.5 times higher than that for the same structure without Mg2Si.

Název v anglickém jazyce

On the way to enhance the optical absorption of a-Si in NIR by embedding Mg2Si thin film

Popis výsledku anglicky

Mg2Si thin film was embedded in amorphous silicon matrix by solid phase epitaxy. The structure and optical properties were investigated by electron energy loss, X-ray photoelectron, Raman, and photo thermal deflection spectroscopy measurements. It was found that in the photon energy range of 0.8–1.7 eV, the light absorption of the structure with magnesium silicide (Mg 2Si) film embedded in a-Si(i) matrix is 1.5 times higher than that for the same structure without Mg2Si.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

109

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000381688900058

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84979992588