Photoluminescence of InGaN/GaN MQW structures – technological aspects

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00469563" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00469563 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoluminescence of InGaN/GaN MQW structures – technological aspects
Popis výsledku v původním jazyce
In this work results obtained on several types of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) scintillator structures are presented. Luminescence properties of scintillator structures with different number of QWs and different growth rate of QWs were measured. We show that the growth rate and QW number are very important parameters to increase the QW excitonic luminescence. Photoluminescence and cathodoluminescence are compared and discussed.
Název v anglickém jazyce
Photoluminescence of InGaN/GaN MQW structures – technological aspects
Popis výsledku anglicky
In this work results obtained on several types of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) scintillator structures are presented. Luminescence properties of scintillator structures with different number of QWs and different growth rate of QWs were measured. We show that the growth rate and QW number are very important parameters to increase the QW excitonic luminescence. Photoluminescence and cathodoluminescence are compared and discussed.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)