A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00471306" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00471306 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface

Popis výsledku v původním jazyce

We study the preparation and atomi order of the buried GaP/Si(001) heterointerfaces in situ with RAS, XPS, and ab initio DFT. We demonstrate that preparation of almost single domain Si(001) substrate succeeds in suppressing anti-phase disorder in GaP epitaxial layers.n

Název v anglickém jazyce

A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface

Popis výsledku anglicky

We study the preparation and atomi order of the buried GaP/Si(001) heterointerfaces in situ with RAS, XPS, and ab initio DFT. We demonstrate that preparation of almost single domain Si(001) substrate succeeds in suppressing anti-phase disorder in GaP epitaxial layers.n

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů