Hard X-ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00535112" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00535112 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1002/sia.6829" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/sia.6829</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.6829" target="_blank" >10.1002/sia.6829</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hard X-ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces
Popis výsledku v původním jazyce
We present a study of buried GaP/Si(001) heterointerfaces by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Well-defined thin (4–50 nm) GaP films were grown on Si(001) substrates with 2 miscut orientations by metalorganic vapor phase epitaxy. Core level photoelectron intensities and valence band spectra were measured on heterostructures as well as on the corresponding reference (bulk) substrates. Detailed analysis of core level peaks revealed line broadening and energetic shifts. Valence band offsets were derived for the films with different thickness. Based on the observed variation of the valence band offsets with the GaP film thickness and on the experimental evidence of line broadening, the existence of charge displacement at the GaP/Si(001) interface is suggested.
Název v anglickém jazyce
Hard X-ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces
Popis výsledku anglicky
We present a study of buried GaP/Si(001) heterointerfaces by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Well-defined thin (4–50 nm) GaP films were grown on Si(001) substrates with 2 miscut orientations by metalorganic vapor phase epitaxy. Core level photoelectron intensities and valence band spectra were measured on heterostructures as well as on the corresponding reference (bulk) substrates. Detailed analysis of core level peaks revealed line broadening and energetic shifts. Valence band offsets were derived for the films with different thickness. Based on the observed variation of the valence band offsets with the GaP film thickness and on the experimental evidence of line broadening, the existence of charge displacement at the GaP/Si(001) interface is suggested.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Svazek periodika
52
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
933-938
Kód UT WoS článku
000544119700001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85087168251