Complex nano-patterning of structural, optical, electrical and electron emission properties of amorphous silicon thin films by scanning probe
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00487144" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00487144 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/18:00313894
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.09.228" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.09.228</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.09.228" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2017.09.228</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Complex nano-patterning of structural, optical, electrical and electron emission properties of amorphous silicon thin films by scanning probe
Popis výsledku v původním jazyce
Preparation of nanoscale templates represents an important step for synthesis and assembly of diverse nanostructures and nanoscale devices. We show that complex nano-structural templates in a thin (40 nm) layer of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) can be prepared by using locally applied electric field in an atomic force microscope (AFM). Depth of the resulting structures (1-40 nm) can be controlled by the process parameters (magnitude of electric field, exposure time, or nano-sweeping of the tip). We demonstrate that complex patterns can be scribed into the a-Si:H layer in that way. The prepared patterns exhibit different structural, optical, electrical, and electron emission properties, compared to the surroundings as detected by Raman micro-spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and conductive AFM. The silicon thin films with locally modified properties can be useful in themselves or can serve as templates for further nanoscale growth or assembly.n
Název v anglickém jazyce
Complex nano-patterning of structural, optical, electrical and electron emission properties of amorphous silicon thin films by scanning probe
Popis výsledku anglicky
Preparation of nanoscale templates represents an important step for synthesis and assembly of diverse nanostructures and nanoscale devices. We show that complex nano-structural templates in a thin (40 nm) layer of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) can be prepared by using locally applied electric field in an atomic force microscope (AFM). Depth of the resulting structures (1-40 nm) can be controlled by the process parameters (magnitude of electric field, exposure time, or nano-sweeping of the tip). We demonstrate that complex patterns can be scribed into the a-Si:H layer in that way. The prepared patterns exhibit different structural, optical, electrical, and electron emission properties, compared to the surroundings as detected by Raman micro-spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and conductive AFM. The silicon thin films with locally modified properties can be useful in themselves or can serve as templates for further nanoscale growth or assembly.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
428
Číslo periodika v rámci svazku
Jan
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
1159-1165
Kód UT WoS článku
000415227000145
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85030834366