Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00496184" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00496184 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number

Popis výsledku v původním jazyce

Luminescence results of InGaN/GaN multiple quantum well (QW) structures with number of QWs from 10 to 60 are studied in this work.The aim is to optimize a thickness of active region for maximization of the intensity of faster blue QW emission and suppression of the slower QW defect band luminiscence, which is undesired for fast scintillator application.

Název v anglickém jazyce

Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number

Popis výsledku anglicky

Luminescence results of InGaN/GaN multiple quantum well (QW) structures with number of QWs from 10 to 60 are studied in this work.The aim is to optimize a thickness of active region for maximization of the intensity of faster blue QW emission and suppression of the slower QW defect band luminiscence, which is undesired for fast scintillator application.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů