Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00502374" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00502374 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://kiplwww.fjfi.cvut.cz/drupal7/sites/default/files/Sbornik_SSCSSPM8_2018_FinalPublished_compressed.pdf" target="_blank" >https://kiplwww.fjfi.cvut.cz/drupal7/sites/default/files/Sbornik_SSCSSPM8_2018_FinalPublished_compressed.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

Popis výsledku v původním jazyce

Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.n

Název v anglickém jazyce

Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

Popis výsledku anglicky

Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.n

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 8th Student scientific conference of solid state engineering and materials

ISBN

978-80-01-06511-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

42-45

Název nakladatele

České vysoké učení technické v Praze

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Sedliště

Datum konání akce

17. 9. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—