Investigation of GaN thin films by electrically detected magnetic resonance and luminescence techniques

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00549953" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00549953 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of GaN thin films by electrically detected magnetic resonance and luminescence techniques

Popis výsledku v původním jazyce

To have better insight into the energy transfer and defect creation processes occurring in the InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures the detailed study of the Si-doped (18 ppm) GaN epitaxial layers in comparison with undoped GaN prepared by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) technology is proposed. It has been found that the Si doping plays significant role in the position and intensity level of the exciton and defect emission. Moreover, the Si doping resulted in passivation of defects.

Název v anglickém jazyce

Investigation of GaN thin films by electrically detected magnetic resonance and luminescence techniques

Popis výsledku anglicky

To have better insight into the energy transfer and defect creation processes occurring in the InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures the detailed study of the Si-doped (18 ppm) GaN epitaxial layers in comparison with undoped GaN prepared by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) technology is proposed. It has been found that the Si doping plays significant role in the position and intensity level of the exciton and defect emission. Moreover, the Si doping resulted in passivation of defects.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GJ20-05497Y" target="_blank" >GJ20-05497Y: Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of ADEPT - ADEPT 2021

ISBN

978-80-554-1806-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

41-44

Název nakladatele

University of Žilina

Místo vydání

Žilina

Místo konání akce

Podbanské

Datum konání akce

20. 9. 2021

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—