Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00567278" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00567278 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001" target="_blank" >https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2413/1/012001" target="_blank" >10.1088/1742-6596/2413/1/012001</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
Popis výsledku v původním jazyce
The InGaN multiple quantum wells (MQW) samples with the undoped and Si doped GaN barriers were grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). By comparing defects-related emission bands in the undoped GaN and InGaN layers, one may conclude that the band is complex in the InGaN layer, composed of at least two contributions peaking at 2.17 and 2.39 eV, respectively. In and Si affect the intensity of the defects-related band – the larger the In and/or Si concentration the stronger the band. The detailed investigation of the observed phenomena was conducted, and the observed peculiarities were explained.
Název v anglickém jazyce
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
Popis výsledku anglicky
The InGaN multiple quantum wells (MQW) samples with the undoped and Si doped GaN barriers were grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). By comparing defects-related emission bands in the undoped GaN and InGaN layers, one may conclude that the band is complex in the InGaN layer, composed of at least two contributions peaking at 2.17 and 2.39 eV, respectively. In and Si affect the intensity of the defects-related band – the larger the In and/or Si concentration the stronger the band. The detailed investigation of the observed phenomena was conducted, and the observed peculiarities were explained.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GJ20-05497Y" target="_blank" >GJ20-05497Y: Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Journal of Physics: Conference Series
ISBN
—
ISSN
1742-6588
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
012001
Název nakladatele
IOP Publishing
Místo vydání
Bristol
Místo konání akce
Nová Lesná
Datum konání akce
5. 9. 2022
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—