Nucleation of diamond micro-patterns with photoluminescent SiV centers controlled by amorphous silicon thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520201" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520201 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/19:00330103

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.064" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.064</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.064" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2019.03.064</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nucleation of diamond micro-patterns with photoluminescent SiV centers controlled by amorphous silicon thin films

Popis výsledku v původním jazyce

Selective deposition of diamond allows bottom-up growth of diamond nanostructures and nanoscale devices. However, it remains challenging to reduce the size of the patterns and to suppress parasitic spontaneous nucleation. We show here that thin layers of hydrogenated amorphous silicon (down to 40 nm) efficiently suppress spontaneous nucleation of diamond. The suppression of diamond nucleation does not depend on the substrate materials below hydrogenated amorphous silicon (Si, SiO2, Pt, Ni). We attribute the suppressed diamond nucleation to surface disorder on atomic scale. By using a structured layer of hydrogenated amorphous silicon, highly selective growth of diamond micro-patterns with optically active SiV centers by low-temperature microwave plasma chemical vapor deposition is achieved.

Název v anglickém jazyce

Nucleation of diamond micro-patterns with photoluminescent SiV centers controlled by amorphous silicon thin films

Popis výsledku anglicky

Selective deposition of diamond allows bottom-up growth of diamond nanostructures and nanoscale devices. However, it remains challenging to reduce the size of the patterns and to suppress parasitic spontaneous nucleation. We show here that thin layers of hydrogenated amorphous silicon (down to 40 nm) efficiently suppress spontaneous nucleation of diamond. The suppression of diamond nucleation does not depend on the substrate materials below hydrogenated amorphous silicon (Si, SiO2, Pt, Ni). We attribute the suppressed diamond nucleation to surface disorder on atomic scale. By using a structured layer of hydrogenated amorphous silicon, highly selective growth of diamond micro-patterns with optically active SiV centers by low-temperature microwave plasma chemical vapor deposition is achieved.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Svazek periodika

480

Číslo periodika v rámci svazku

June

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1008-1013

Kód UT WoS článku

000463008200115

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85062731816