Germanium and tin nanoparticles encapsulated in amorphous silicon matrix for optoelectronic application

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00522710" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00522710 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Germanium and tin nanoparticles encapsulated in amorphous silicon matrix for optoelectronic application

Popis výsledku v původním jazyce

The plasma enhanced chemical vapour deposition was combined with in situ deposition of Ge and Sn thin film by evaporation technique at surface temperature about 220 °C to form nanoparticles on the surface of hydrogenated silicon thin films to prepare diodes. Formation of nanoparticles was additionally stimulated by plasma treatment through a low pressure hydrogen glow discharge. The diodes based on PIN diode structures with and without the embedded Ge or Sn nanoparticles were characterized by temperature dependence of electrical conductivity, activation energy of conductivity, measurement of volt-ampere characteristics in dark and under solar illuminationn

Název v anglickém jazyce

Germanium and tin nanoparticles encapsulated in amorphous silicon matrix for optoelectronic application

Popis výsledku anglicky

The plasma enhanced chemical vapour deposition was combined with in situ deposition of Ge and Sn thin film by evaporation technique at surface temperature about 220 °C to form nanoparticles on the surface of hydrogenated silicon thin films to prepare diodes. Formation of nanoparticles was additionally stimulated by plasma treatment through a low pressure hydrogen glow discharge. The diodes based on PIN diode structures with and without the embedded Ge or Sn nanoparticles were characterized by temperature dependence of electrical conductivity, activation energy of conductivity, measurement of volt-ampere characteristics in dark and under solar illuminationn

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./

ISBN

978-80-87294-89-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

226-229

Název nakladatele

Tanger Ltd.

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

17. 10. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

000513131900039