Pulse measurements of small area thin film mu c-Si:H/ZnO:B photodiodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00531981" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00531981 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://hdl.handle.net/11104/0310602" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0310602</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/726/1/012011" target="_blank" >10.1088/1757-899X/726/1/012011</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Pulse measurements of small area thin film mu c-Si:H/ZnO:B photodiodes
Popis výsledku v původním jazyce
We introduce a triggered optoelectronic system operating in a pulse mode in the near infrared and visible spectral range 0.75-3 eV. The system measures current-voltage (I-V) characteristics in dark and under visible light illumination as well as electroluminescence (EL) spectra of small area thin film photodiodes and light emitting diodes with size below 1 mm(2). The usefulness of the setup is demonstrated by measurement of optoelectronic properties of a hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si:H) p-i-n diode deposited on a semi-transparent nanostructured ZnO:B electrode. No s-shaped I-V characteristics were observed under white illumination near an open circuit voltage Uoc indicating a negligible charge accumulation near mu c-Si:H/ZnO:B interface. The weak infrared EL correlates with the current density.
Název v anglickém jazyce
Pulse measurements of small area thin film mu c-Si:H/ZnO:B photodiodes
Popis výsledku anglicky
We introduce a triggered optoelectronic system operating in a pulse mode in the near infrared and visible spectral range 0.75-3 eV. The system measures current-voltage (I-V) characteristics in dark and under visible light illumination as well as electroluminescence (EL) spectra of small area thin film photodiodes and light emitting diodes with size below 1 mm(2). The usefulness of the setup is demonstrated by measurement of optoelectronic properties of a hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si:H) p-i-n diode deposited on a semi-transparent nanostructured ZnO:B electrode. No s-shaped I-V characteristics were observed under white illumination near an open circuit voltage Uoc indicating a negligible charge accumulation near mu c-Si:H/ZnO:B interface. The weak infrared EL correlates with the current density.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
ISBN
—
ISSN
1757-8981
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
1-8
Název nakladatele
IOP Publishing Ltd.
Místo vydání
Bristol
Místo konání akce
Nova Lesna
Datum konání akce
2. 9. 2019
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000539289000011