Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00542725" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00542725 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/21:00353798
Výsledek na webu
<a href="http://hdl.handle.net/11104/0320090" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0320090</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118127" target="_blank" >10.1016/j.jlumin.2021.118127</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
Popis výsledku v původním jazyce
Zn contamination of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure from unknown source is found. A model describing concentration profile of Zn acceptor impurity in InGaN/GaN MQW structure is introduced and compared to measured values. The model is based on difference among the formation energies of acceptors in the InGaN quantum wells. A nice correlation of the model and experimental data helps to reveal origin of Zn impurity in InGaN quantum wells. Proposed methodology can be applied to different acceptor-like defects and shine light the upon enigma of high defect concentration in the bottom quantum wells grown atop the n-type buffer layer.
Název v anglickém jazyce
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
Popis výsledku anglicky
Zn contamination of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure from unknown source is found. A model describing concentration profile of Zn acceptor impurity in InGaN/GaN MQW structure is introduced and compared to measured values. The model is based on difference among the formation energies of acceptors in the InGaN quantum wells. A nice correlation of the model and experimental data helps to reveal origin of Zn impurity in InGaN quantum wells. Proposed methodology can be applied to different acceptor-like defects and shine light the upon enigma of high defect concentration in the bottom quantum wells grown atop the n-type buffer layer.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Luminescence
ISSN
0022-2313
e-ISSN
1872-7883
Svazek periodika
236
Číslo periodika v rámci svazku
Aug
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
118127
Kód UT WoS článku
000663095100002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85104287517