High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00553457" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00553457 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38" target="_blank" >10.1088/1361-6528/ac3a38</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer
Popis výsledku v původním jazyce
The formation of an interfacial layer is believed to affect the ferroelectric properties in HfO2 based ferroelectric devices. The atomic layer deposited devices continue suffering from a poor bottom interfacial condition, since the formation of bottom interface is severely affected by atomic layer deposition and annealing process. Herein, the formation of bottom interfacial layer was controlled through deposition of different bottom electrodes (BE) in device structure W/ HZO/BE. The transmission electron microscopy (TEM) and x-ray photoelectron spectroscopy analyses done on devices W/HZO/W and W/HZO/IrOx suggest the strong effect of IrOx in controlling bottom interfacial layer formation while W/HZO/W badly suffers from interfacial layer formation.
Název v anglickém jazyce
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer
Popis výsledku anglicky
The formation of an interfacial layer is believed to affect the ferroelectric properties in HfO2 based ferroelectric devices. The atomic layer deposited devices continue suffering from a poor bottom interfacial condition, since the formation of bottom interface is severely affected by atomic layer deposition and annealing process. Herein, the formation of bottom interfacial layer was controlled through deposition of different bottom electrodes (BE) in device structure W/ HZO/BE. The transmission electron microscopy (TEM) and x-ray photoelectron spectroscopy analyses done on devices W/HZO/W and W/HZO/IrOx suggest the strong effect of IrOx in controlling bottom interfacial layer formation while W/HZO/W badly suffers from interfacial layer formation.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanotechnology
ISSN
0957-4484
e-ISSN
1361-6528
Svazek periodika
33
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
085206
Kód UT WoS článku
000725856400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85121828452