Hafnium oxide (HfO2) – a multifunctional oxide: a review on the prospect and challenges of hafnium oxide in resistive switching and ferroelectric memories
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00557950" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00557950 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1002/smll.202107575" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/smll.202107575</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/smll.202107575" target="_blank" >10.1002/smll.202107575</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hafnium oxide (HfO2) – a multifunctional oxide: a review on the prospect and challenges of hafnium oxide in resistive switching and ferroelectric memories
Popis výsledku v původním jazyce
In this review, the application of HfO2 in two main emerging nonvolatile memory technologies is surveyed, namely resistive random access memory and ferroelectric memory. How the properties of HfO2 equip the former to achieve superlative performance with high-speed reliable switching, excellent endurance, and retention is discussed. The parameters to control HfO2 domains are further discussed, which can unleash the ferroelectric properties in memory applications. Finally, the prospect of HfO2 materials in emerging applications, such as high-density memory and neuromorphic devices are examined, and the various challenges of HfO2-based resistive random access memory and ferroelectric memory devices are addressed with a future outlook.
Název v anglickém jazyce
Hafnium oxide (HfO2) – a multifunctional oxide: a review on the prospect and challenges of hafnium oxide in resistive switching and ferroelectric memories
Popis výsledku anglicky
In this review, the application of HfO2 in two main emerging nonvolatile memory technologies is surveyed, namely resistive random access memory and ferroelectric memory. How the properties of HfO2 equip the former to achieve superlative performance with high-speed reliable switching, excellent endurance, and retention is discussed. The parameters to control HfO2 domains are further discussed, which can unleash the ferroelectric properties in memory applications. Finally, the prospect of HfO2 materials in emerging applications, such as high-density memory and neuromorphic devices are examined, and the various challenges of HfO2-based resistive random access memory and ferroelectric memory devices are addressed with a future outlook.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Small
ISSN
1613-6810
e-ISSN
1613-6829
Svazek periodika
18
Číslo periodika v rámci svazku
23
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
50
Strana od-do
2107575
Kód UT WoS článku
000790857800001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85129309995