Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00558906" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00558906 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/46747885:24220/22:00010927

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2022.165255</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping

Popis výsledku v původním jazyce

A huge acceleration of the yellow band defect luminescence (YB) with increasing Si and Ge doping concentration in GaN layers has been observed and studied. The donor doping concentrations in the n-type GaN varied from 5 × 10E16 cm−3 to 1.5 × 10E19 cm−3 for undoped, Si-doped, and Ge-doped samples. Consequently, the fastest component of the photoluminescence (PL) decay time curve accelerated from 0.9 ms to 40.3 ns, and the mean decay time from 20 ms to 260 ns with increasing doping concentration. We have proposed an explanation based on a theoretical model of donor-acceptor pair transition (DAP) and electron-acceptor (e-A0) recombination at higher dopant concentrations, which is supported by several measurement techniques as room-temperature radioluminescence (RL), PL measurements or thermally stimulated luminescence (TSL).

Název v anglickém jazyce

Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping

Popis výsledku anglicky

A huge acceleration of the yellow band defect luminescence (YB) with increasing Si and Ge doping concentration in GaN layers has been observed and studied. The donor doping concentrations in the n-type GaN varied from 5 × 10E16 cm−3 to 1.5 × 10E19 cm−3 for undoped, Si-doped, and Ge-doped samples. Consequently, the fastest component of the photoluminescence (PL) decay time curve accelerated from 0.9 ms to 40.3 ns, and the mean decay time from 20 ms to 260 ns with increasing doping concentration. We have proposed an explanation based on a theoretical model of donor-acceptor pair transition (DAP) and electron-acceptor (e-A0) recombination at higher dopant concentrations, which is supported by several measurement techniques as room-temperature radioluminescence (RL), PL measurements or thermally stimulated luminescence (TSL).

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Alloys and Compounds

ISSN

0925-8388

e-ISSN

1873-4669

Svazek periodika

914

Číslo periodika v rámci svazku

Sep

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

165255

Kód UT WoS článku

000804475500001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85130063416