Defect pairing in Fe-doped SnS van der Waals crystals: a photoemission and scanning tunneling microscopy study

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00574630" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00574630 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/23:10468742 RIV/00216275:25310/23:39920775 RIV/00216224:14310/23:00132757

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0347702" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0347702</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1039/d3nr01905e" target="_blank" >10.1039/d3nr01905e</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Defect pairing in Fe-doped SnS van der Waals crystals: a photoemission and scanning tunneling microscopy study

Popis výsledku v původním jazyce

We investigate the effect of low concentrations of iron on the physical properties of SnS van der Waals crystals grown from the melt. By means of scanning tunneling microscopy (STM) and photoemission spectroscopy we study Fe-induced defects and observe an electron doping effect in the band structure of the native p-type SnS semiconductor. Atomically resolved and bias dependent STM data of characteristic defects are compared to ab initio density functional theory simulations of vacancy (VS and VSn), Fe substitutional (FeSn), and Fe interstitial (Feint) defects.

Název v anglickém jazyce

Defect pairing in Fe-doped SnS van der Waals crystals: a photoemission and scanning tunneling microscopy study

Popis výsledku anglicky

We investigate the effect of low concentrations of iron on the physical properties of SnS van der Waals crystals grown from the melt. By means of scanning tunneling microscopy (STM) and photoemission spectroscopy we study Fe-induced defects and observe an electron doping effect in the band structure of the native p-type SnS semiconductor. Atomically resolved and bias dependent STM data of characteristic defects are compared to ab initio density functional theory simulations of vacancy (VS and VSn), Fe substitutional (FeSn), and Fe interstitial (Feint) defects.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanoscale

ISSN

2040-3364

e-ISSN

2040-3372

Svazek periodika

15

Číslo periodika v rámci svazku

31

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

13110-13119

Kód UT WoS článku

001037434000001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85167448136