Electronic properties of Fe impurities in SnS van der Waals crystals – Revealing high-mobility holes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00602721" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00602721 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/24:10473709 RIV/00216275:25310/24:39921666 RIV/00216224:14310/24:00135597

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2023.117148" target="_blank" >10.1016/j.mseb.2023.117148</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic properties of Fe impurities in SnS van der Waals crystals – Revealing high-mobility holes

Popis výsledku v původním jazyce

Defect control is critical to achieve long carrier lifetimes in semiconductors. SnS is a promising thermoelectric and photovoltaic material, in which native defects play a detrimental role, particularly in photovoltaics. In this study, we investigated the Fe-doping of SnS and the interaction of Fe impurities with native defects in a series of single crystals of Sn1-xFexS up to concentrations of x = 0.05. Although the doped single crystals appear rather disordered, the hole mobility is very high (~8500 cm2V-1s 1 at 30 K for Sn0.99Fe0.01S), suggesting that hole-mediated charge transport in this material is largely insensitive to extrinsic impurities.n

Název v anglickém jazyce

Electronic properties of Fe impurities in SnS van der Waals crystals – Revealing high-mobility holes

Popis výsledku anglicky

Defect control is critical to achieve long carrier lifetimes in semiconductors. SnS is a promising thermoelectric and photovoltaic material, in which native defects play a detrimental role, particularly in photovoltaics. In this study, we investigated the Fe-doping of SnS and the interaction of Fe impurities with native defects in a series of single crystals of Sn1-xFexS up to concentrations of x = 0.05. Although the doped single crystals appear rather disordered, the hole mobility is very high (~8500 cm2V-1s 1 at 30 K for Sn0.99Fe0.01S), suggesting that hole-mediated charge transport in this material is largely insensitive to extrinsic impurities.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10308 - Astronomy (including astrophysics,space science)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials

ISSN

0921-5107

e-ISSN

1873-4944

Svazek periodika

301

Číslo periodika v rámci svazku

March

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

117148

Kód UT WoS článku

001155796300001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85181775556