Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00575292" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00575292 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers
Popis výsledku v původním jazyce
Hetero-integration of Ga2O3 and diamond is an intriguing approach for processing of pn diodes with enhanced thermal properties. In this work, we investigated the growth of nanocrystalline diamond films using microwave plasma CVD on monoclinic beta Ga2O3, which was grown by liquid-injection metal-organic CVD on sapphire employing various interlayers. It was found that the use of an ultrathin SiO2 interlayer (~20 nm) yields highly promising results although optimization of the conditions for AlN deposition is necessary.
Název v anglickém jazyce
Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers
Popis výsledku anglicky
Hetero-integration of Ga2O3 and diamond is an intriguing approach for processing of pn diodes with enhanced thermal properties. In this work, we investigated the growth of nanocrystalline diamond films using microwave plasma CVD on monoclinic beta Ga2O3, which was grown by liquid-injection metal-organic CVD on sapphire employing various interlayers. It was found that the use of an ultrathin SiO2 interlayer (~20 nm) yields highly promising results although optimization of the conditions for AlN deposition is necessary.

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)