Fabrication and characterization of Ga2O3-diamond heterostructures: impact of using protective interlayer
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F25%3A00637525" target="_blank" >RIV/68378271:_____/25:00637525 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fabrication and characterization of Ga2O3-diamond heterostructures: impact of using protective interlayer
Popis výsledku v původním jazyce
The development of cost-effective, large-scale deep-ultraviolet solar-blind photodetectors (PD) currently represents a significant challenge in the field of electronic devices. Ultra-wide bandgap materials such as diamond and gallium oxide offer promising potential for the realization of this type of PDs. However, the fabrication of Ga2O3-diamond heterostructures represent a technological challenge. This work focuses on the preparation of polycrystalline diamond on epitaxially/highly-ordered Ga2O3 films as one of the possible approaches. Due to the aggressive environment during the diamond CVD growth, the influence of various protective interlayers (SiO2, SiC, Al2O3, AlN) on Ga2O3 will be presented in detail. Additionally, the chemical nature, structural and morphological properties of the prepared heterostructures will also be highlighted.
Název v anglickém jazyce
Fabrication and characterization of Ga2O3-diamond heterostructures: impact of using protective interlayer
Popis výsledku anglicky
The development of cost-effective, large-scale deep-ultraviolet solar-blind photodetectors (PD) currently represents a significant challenge in the field of electronic devices. Ultra-wide bandgap materials such as diamond and gallium oxide offer promising potential for the realization of this type of PDs. However, the fabrication of Ga2O3-diamond heterostructures represent a technological challenge. This work focuses on the preparation of polycrystalline diamond on epitaxially/highly-ordered Ga2O3 films as one of the possible approaches. Due to the aggressive environment during the diamond CVD growth, the influence of various protective interlayers (SiO2, SiC, Al2O3, AlN) on Ga2O3 will be presented in detail. Additionally, the chemical nature, structural and morphological properties of the prepared heterostructures will also be highlighted.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20501 - Materials engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of ADEPT - ADEPT 2025
ISBN
978-80-554-2208-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
30-34
Název nakladatele
University of Žilina
Místo vydání
Žilina
Místo konání akce
Podbanské
Datum konání akce
15. 6. 2025
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—