Thin hydrogenated amorphous Silicon carbide layers with embedded Ge nanocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F25%3A00617306" target="_blank" >RIV/68378271:_____/25:00617306 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0364248" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0364248</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano15030176" target="_blank" >10.3390/nano15030176</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thin hydrogenated amorphous Silicon carbide layers with embedded Ge nanocrystals

Popis výsledku v původním jazyce

The in situ combination of PECVD and vacuum evaporation in the same vacuum chamber allowed us to integrate Ge NCs into a-SiC:H thin films deposited from monomethyl silane diluted with hydrogen. The presence of Ge NCs embedded in the a-Si:C:H thin films was confirmed by TEM and EDX. The embedded GeNCs increased optical absorption in the NIR spectral region. The quenching of a-SiC:H NIR PL due to the presence of Ge indicates that the diffusion length of free charge carriers in a-SiC:H is in the range of a few tens of nm, an order of magnitude less than in a-Si:H. The optical properties of a-SiC:H films were degraded after vacuum annealing at 550C.

Název v anglickém jazyce

Thin hydrogenated amorphous Silicon carbide layers with embedded Ge nanocrystals

Popis výsledku anglicky

The in situ combination of PECVD and vacuum evaporation in the same vacuum chamber allowed us to integrate Ge NCs into a-SiC:H thin films deposited from monomethyl silane diluted with hydrogen. The presence of Ge NCs embedded in the a-Si:C:H thin films was confirmed by TEM and EDX. The embedded GeNCs increased optical absorption in the NIR spectral region. The quenching of a-SiC:H NIR PL due to the presence of Ge indicates that the diffusion length of free charge carriers in a-SiC:H is in the range of a few tens of nm, an order of magnitude less than in a-Si:H. The optical properties of a-SiC:H films were degraded after vacuum annealing at 550C.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanomaterials

ISSN

2079-4991

e-ISSN

2079-4991

Svazek periodika

15

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

176

Kód UT WoS článku

001420260700001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85217705640