Metallic and semiconductor nanoparticles integrated into thin layers of hydrogenated amorphous silicon or silicon carbide
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F25%3A00619271" target="_blank" >RIV/68378271:_____/25:00619271 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2024.4995" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2024.4995</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2024.4995" target="_blank" >10.37904/nanocon.2024.4995</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Metallic and semiconductor nanoparticles integrated into thin layers of hydrogenated amorphous silicon or silicon carbide
Popis výsledku v původním jazyce
The combination of PECVD - plasma enhanced chemical vapor deposition and VE - vacuum evaporation at one vacuum chamber is in situ method how to integrate semiconductor (Ge) and metallic (Sn) nanoparticles into amorphous hydrogenated thin films and their structures on the base of a-Si:H or a-SiC:H. In this work we focus our effort to deposit a-SiC:H thin films from monomethylsilane (MMS = SiH3-CH3) diluted by hydrogen in the ratio 2/100 sccm. The Ge evaporates at vacuum higher than 2E-5 Pa. The TEM - transmission electron microscopy and AFM - atomic force microscopy are used for microscopical characterization of thin films while PDS - photothermal deflection spectroscopy and PL – photoluminescence spectroscopy are used for their spectroscopical characterization.
Název v anglickém jazyce
Metallic and semiconductor nanoparticles integrated into thin layers of hydrogenated amorphous silicon or silicon carbide
Popis výsledku anglicky
The combination of PECVD - plasma enhanced chemical vapor deposition and VE - vacuum evaporation at one vacuum chamber is in situ method how to integrate semiconductor (Ge) and metallic (Sn) nanoparticles into amorphous hydrogenated thin films and their structures on the base of a-Si:H or a-SiC:H. In this work we focus our effort to deposit a-SiC:H thin films from monomethylsilane (MMS = SiH3-CH3) diluted by hydrogen in the ratio 2/100 sccm. The Ge evaporates at vacuum higher than 2E-5 Pa. The TEM - transmission electron microscopy and AFM - atomic force microscopy are used for microscopical characterization of thin films while PDS - photothermal deflection spectroscopy and PL – photoluminescence spectroscopy are used for their spectroscopical characterization.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2024 - Conference Proceedings
ISBN
978-80-88365-24-2
ISSN
2694-930X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
53-58
Název nakladatele
Tanger Ltd.
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
16. 10. 2024
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—