Výzkum šířky zakázaného pasů vrstev GaN s dotaci Dy iontů pomocí měření transmisních spekter

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03145559" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03145559 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of band gap of Dy doped GaN layers using the transmittance measurement

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper we report about dysprosium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering on silicon and corning glass substrate. Structure of the deposited layers was studied by the X-ray diffraction (XRD). Composition of the fabricated samples was checked by RTG spectrometer ARL 9400. Transmission spectra were measured by UV-VIS-NIR Spectrometer (UV 3600 Shimadzu) in spectral region from 280 nm to 1800 nm and the optical band gap Eg has been determined by the absorption coefficient values using Tauc's procedure, i.e. from the relationship ?hv = K(hv - Eg)2. The optical band gap Eg of fabricated GaN layers without dysprosium doping was 2.91 eV. The optical band gap of dysprosium doped GaN layers varied from 2.93 eV to 3.52 eV depend onincreasing of content of dysprosium ions.

Název v anglickém jazyce

Investigation of band gap of Dy doped GaN layers using the transmittance measurement

Popis výsledku anglicky

In this paper we report about dysprosium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering on silicon and corning glass substrate. Structure of the deposited layers was studied by the X-ray diffraction (XRD). Composition of the fabricated samples was checked by RTG spectrometer ARL 9400. Transmission spectra were measured by UV-VIS-NIR Spectrometer (UV 3600 Shimadzu) in spectral region from 280 nm to 1800 nm and the optical band gap Eg has been determined by the absorption coefficient values using Tauc's procedure, i.e. from the relationship ?hv = K(hv - Eg)2. The optical band gap Eg of fabricated GaN layers without dysprosium doping was 2.91 eV. The optical band gap of dysprosium doped GaN layers varied from 2.93 eV to 3.52 eV depend onincreasing of content of dysprosium ions.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronics Devices and Systems Proceedings

ISBN

978-80-214-3717-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

10. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—