Modeling and Fabrication of Piezoresistive Strain Sensor Based on Diamond Layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00159528" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00159528 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modeling and Fabrication of Piezoresistive Strain Sensor Based on Diamond Layers

Popis výsledku v původním jazyce

High-temperature sensors and electronics are required for harsh environments where the application of conventional electronics is impossible or impractical, such as in industrial, automotive, aircraft and aerospace applications [1]. The design methodology utilizing FEM simulations is presented. Piezoresistive sensors based on thin-film metal sputtered layers, silicon-on-insulator and nanocrystalline diamond layers were successfully designed, fabricated and measured. The fabricated sensors are able to operate at temperatures up to 250 °C. Extensive study of sensor parameters e.g. deformation sensitivity, edge and contact resistances, temperature dependences gauge factor, bridge output voltage was performed. The measured values and investigated findingscan be used for calibration of simulation software and in prospective design of more complex sensor structures.

Název v anglickém jazyce

Modeling and Fabrication of Piezoresistive Strain Sensor Based on Diamond Layers

Popis výsledku anglicky

High-temperature sensors and electronics are required for harsh environments where the application of conventional electronics is impossible or impractical, such as in industrial, automotive, aircraft and aerospace applications [1]. The design methodology utilizing FEM simulations is presented. Piezoresistive sensors based on thin-film metal sputtered layers, silicon-on-insulator and nanocrystalline diamond layers were successfully designed, fabricated and measured. The fabricated sensors are able to operate at temperatures up to 250 °C. Extensive study of sensor parameters e.g. deformation sensitivity, edge and contact resistances, temperature dependences gauge factor, bridge output voltage was performed. The measured values and investigated findingscan be used for calibration of simulation software and in prospective design of more complex sensor structures.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials, MIDEM 2009

ISBN

978-961-91023-9-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

MIDEM

Místo vydání

Ribno at Bled

Místo konání akce

Postojna

Datum konání akce

9. 9. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—