Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Advanced x-ray optics with Si wafers and slumped glass

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00163008" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00163008 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985815:_____/09:00337793 RIV/68407700:21340/09:00163008

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Advanced x-ray optics with Si wafers and slumped glass

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report on the continuation of the development of test samples of astronomical x-ray optics based on thermally formed glass foils and on bent Si wafers. Experiments with thermal glass forming have continued adding wider range of evaluated and optimizedparameters including viscosity and internal stress analyses, as well as investigation of mounting influences. Experiments with Si wafers focused on their quality improvements such as flatness and thickness uniformity in order to better meet the requirements of future X-ray astronomy projects applications, as well as on study of their surface quality, defects analysis, and methods for its reproducible measurement.

  • Název v anglickém jazyce

    Advanced x-ray optics with Si wafers and slumped glass

  • Popis výsledku anglicky

    We report on the continuation of the development of test samples of astronomical x-ray optics based on thermally formed glass foils and on bent Si wafers. Experiments with thermal glass forming have continued adding wider range of evaluated and optimizedparameters including viscosity and internal stress analyses, as well as investigation of mounting influences. Experiments with Si wafers focused on their quality improvements such as flatness and thickness uniformity in order to better meet the requirements of future X-ray astronomy projects applications, as well as on study of their surface quality, defects analysis, and methods for its reproducible measurement.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Optics for EUV, X-Ray, and Gamma-Ray Astronomy IV

  • ISBN

    978-0-8194-7727-9

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    San Diego, California

  • Datum konání akce

    2. 8. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku