Doping Compensation for Increased Robustness of Fast Recovery Silicon Diodes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00160716" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00160716 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Doping Compensation for Increased Robustness of Fast Recovery Silicon Diodes

Popis výsledku v původním jazyce

High-power diodes with the radiation enhanced diffusion (RED) of Pd are shown to have much higher ruggedness during the reverse recovery compared to that of the Pt. Anode doping profiles measured by spreading resistance technique after a 10 MeV He implantation with subsequent annealing between 500 and 800 degC reveal different compensation effects between the Pd and Pt. The in-diffusing Pd converts the n-type background doping concentration of ND = 3 .1013 cm-3 in the position of radiation defects to that of a p-type with about one order higher concentration. The created low-doped p-layer significantly increases ruggedness of diodes during reverse recovery.

Název v anglickém jazyce

Doping Compensation for Increased Robustness of Fast Recovery Silicon Diodes

Popis výsledku anglicky

High-power diodes with the radiation enhanced diffusion (RED) of Pd are shown to have much higher ruggedness during the reverse recovery compared to that of the Pt. Anode doping profiles measured by spreading resistance technique after a 10 MeV He implantation with subsequent annealing between 500 and 800 degC reveal different compensation effects between the Pd and Pt. The in-diffusing Pd converts the n-type background doping concentration of ND = 3 .1013 cm-3 in the position of radiation defects to that of a p-type with about one order higher concentration. The created low-doped p-layer significantly increases ruggedness of diodes during reverse recovery.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronics Reliability

ISSN

0026-2714

e-ISSN

—

Svazek periodika

50

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000274610400004

EID výsledku v databázi Scopus

—