Investigation of Flicker Noise in Silicon Diodes under Reverse Bias

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00169303" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00169303 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of Flicker Noise in Silicon Diodes under Reverse Bias

Popis výsledku v původním jazyce

This article analyses some connections between reverse properties of silicon power diodes and their flicker noise under reverse bias. Common (connecting) aspect of these different angles of view is technological production process. The article presents asimple physical model describing a behavior and effect of surface structural defects in connection with a reverse and noise properties of tested diodes. Model defines and consequently performs mutual relations with respect to physical nature of the investigated defects. An interesting output of the model is the possibility to identify energy level and density of investigated defects.

Název v anglickém jazyce

Investigation of Flicker Noise in Silicon Diodes under Reverse Bias

Popis výsledku anglicky

This article analyses some connections between reverse properties of silicon power diodes and their flicker noise under reverse bias. Common (connecting) aspect of these different angles of view is technological production process. The article presents asimple physical model describing a behavior and effect of surface structural defects in connection with a reverse and noise properties of tested diodes. Model defines and consequently performs mutual relations with respect to physical nature of the investigated defects. An interesting output of the model is the possibility to identify energy level and density of investigated defects.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISPS'10 PROCEEDINGS

ISBN

978-80-01-04602-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

České vysoké učení technické v Praze

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

1. 9. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—