Temperature Dependence of the Pyroelectric Behaviour in GaN/AlGaN

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00174470" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00174470 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Temperature Dependence of the Pyroelectric Behaviour in GaN/AlGaN

Popis výsledku v původním jazyce

So far the dependence of the spontaneous polarization coefficient for GaN and AlN on temperature has been measured to be minimal, which corresponds with expectation that the spontaneous polarization is reduced at the elevated temperatures of interest. There are also no reports on the piezoelectric polarization at higher temperature. This paper is initial study on the influence of temperature related behaviour in GaN/AlGaN. Summarize recent findings and consideration.

Název v anglickém jazyce

Temperature Dependence of the Pyroelectric Behaviour in GaN/AlGaN

Popis výsledku anglicky

So far the dependence of the spontaneous polarization coefficient for GaN and AlN on temperature has been measured to be minimal, which corresponds with expectation that the spontaneous polarization is reduced at the elevated temperatures of interest. There are also no reports on the piezoelectric polarization at higher temperature. This paper is initial study on the influence of temperature related behaviour in GaN/AlGaN. Summarize recent findings and consideration.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Conference Proceedings of the Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

978-1-4244-8572-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

24. 10. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—