3D Modeling of Assembly Influence on Packaged Transistors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00184396" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00184396 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

3D Modeling of Assembly Influence on Packaged Transistors

Popis výsledku v původním jazyce

Achievements and work in progress from year 2011 are shown and discussed in this paper. This research is examining an assembly influences on packaged microwave transistors. Complex 3D electromagnetic simulations software is used to characterize the effects. Packages that were simulated are: Excelics 70-mil package and Avago Wafer Scale Package (WSP) which is used for the current VMMK transistor/amplifier range. Packages' dimensions were accurately measured and modeled accordingly. The assembly influencewill be discussed while using four different substrates and two transmission lines. The effect of different surrounding environment for transistor package will be shown in the frequency range up to 40 GHz. The simulation results are verified by the measurements as well and good match is obtained.

Název v anglickém jazyce

3D Modeling of Assembly Influence on Packaged Transistors

Popis výsledku anglicky

Achievements and work in progress from year 2011 are shown and discussed in this paper. This research is examining an assembly influences on packaged microwave transistors. Complex 3D electromagnetic simulations software is used to characterize the effects. Packages that were simulated are: Excelics 70-mil package and Avago Wafer Scale Package (WSP) which is used for the current VMMK transistor/amplifier range. Packages' dimensions were accurately measured and modeled accordingly. The assembly influencewill be discussed while using four different substrates and two transmission lines. The effect of different surrounding environment for transistor package will be shown in the frequency range up to 40 GHz. The simulation results are verified by the measurements as well and good match is obtained.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GD102%2F08%2FH027" target="_blank" >GD102/08/H027: Pokročilé metody, struktury a komponenty elektronické bezdrátové komunikace</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník semináře o řešení doktorského projektu Grantové agentury České republiky č. 102/08/H027 v roce 2011 - Pokročilé metody, struktury a komponenty elektronické bezdrátové komunikace

ISBN

978-80-214-4368-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

26-30

Název nakladatele

VUT v Brně, FEKT, Ústav radioelektroniky

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

22. 11. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—