Hydrogen silsesquioxane as a gate dielectric layer for SiC graphene FET

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00197903" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00197903 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60461373:22310/12:43894452

Výsledek na webu

<a href="http://www.elu.sav.sk/asdam/" target="_blank" >http://www.elu.sav.sk/asdam/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hydrogen silsesquioxane as a gate dielectric layer for SiC graphene FET

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene can be prepared by annealing of SiC wafer. That allows large scale patterning by standard UV photolithography. Unfortunately SiC substrate does not allow back-gating in contrast to graphene on silicon substrate (with thin silicon dioxide layer).The major challenge is to find suitable dielectric layer that can be used for electrostatic gating without significant influence on carrier mobility or another properties of graphene. We examined electrical behavior of electron exposed hydrogen silsesquioxane (HSQ) layer used as dielectric layer of top-gated SiC graphene.

Název v anglickém jazyce

Hydrogen silsesquioxane as a gate dielectric layer for SiC graphene FET

Popis výsledku anglicky

Graphene can be prepared by annealing of SiC wafer. That allows large scale patterning by standard UV photolithography. Unfortunately SiC substrate does not allow back-gating in contrast to graphene on silicon substrate (with thin silicon dioxide layer).The major challenge is to find suitable dielectric layer that can be used for electrostatic gating without significant influence on carrier mobility or another properties of graphene. We examined electrical behavior of electron exposed hydrogen silsesquioxane (HSQ) layer used as dielectric layer of top-gated SiC graphene.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM 2012

ISBN

978-1-4673-1195-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

251-254

Název nakladatele

STU v Bratislave, FEI

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Smolenice Castle

Datum konání akce

11. 11. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—